뉴로모픽·유연 소자

20년 넘게 화면 뒤 스위치로만 쓰이던 IGZO를 동국대 연구진이 수직 메모리의 저항 스위칭층으로 세웠습니다. 열쇠는 스퍼터가 아니라 ALD였고, In:Ga:Zn 비율을 1:3:1까지 갈륨 쪽으로 밀어야 비로소 스위칭이 살아났습니다. 디스플레이 공정팀이 익숙한 소재가 어디까지 확장되는지 보여주는 결과입니다.

센서·메모리·연산, 소자 3개를 하나로 합치면 부품 수와 배선이 그만큼 줄어듭니다. 무기-유기 이종 유전체 유연 OTFT로 이동도 22.65cm²/V·s, 광응답 30마이크로초를 동시에 확보해, 소자 통합이 성능 손실 없이 가능함을 보여준 결과입니다. 유연 전자소자 모듈 설계팀이 참고할 만합니다.